本專利涉及金屬氧化物核殼納米片陣列電極材料的制備方法,所得的四氧化三鈷納米片骨架具有較好的平行多層結構和取向性,復合后的材料具有海綿體的多孔結構,且保持了骨架原有的有規律取向,與普通相互交叉片不同,近乎平行的納米片提供了長程有序、穩定統一的導電路徑,有利于電子的順利傳遞。核殼材料的厚度為200?500?nm,殼層厚度為5?15?nm,適當的殼層厚度、多孔結構和垂直生長,使得核材料的電化學特性得到充分發揮,電化學測試結果表明,在電流密度為0.5?A·g?1時,單電極比容量為715?F·g?1,當電流密度增大到8?A·g?1時,比容量的保持率為72%。
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