本發明揭示了一種晶圓拋光方法,該方法包括:膜厚測量步驟,對晶圓進行膜厚測量;移放晶圓步驟,將晶圓移放至工藝位置;預濕潤及電化學拋光步驟,預濕潤晶圓后對晶圓進行電化學拋光;后續處理步驟,對晶圓進行后續處理;晶圓根據其膜厚,預濕潤及電化學拋光步驟被重復執行多次后才進入后續處理步驟。采用本發明的技術方案,能夠大大縮短工藝時間,并保證拋光得到的晶圓表面具有良好的粗糙度。
聲明:
“晶圓拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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