一種曝光設備和方法,可優化光致抗蝕劑膜的曝光,而與光致抗蝕劑膜因曝光而發生的化學反應無關。利用第1光致抗蝕劑膜和第1半導體片測量最佳曝光,并將獲得的數據存到存儲器中,然后用相同的曝光對第2半導體片上的第2光致抗蝕劑膜曝光,測量開始曝光時由第2光致抗蝕劑膜和第2半導體片的反射光強。讀出存儲的第1光致抗蝕劑膜和第1半導體片的最佳曝光時間數據,將它用作第2光致抗蝕劑膜和第2半導體片的最佳曝光時間。
聲明:
“曝光方法和曝光設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)