本發明涉及一種大面積硒摻雜二硫化鉬薄膜材料的制備方法,采用化學氣相沉積法和雙溫區管式爐,以Si/SiO2為基板,采用MoO3作為鉬源,硫粉作為硫源,硒粒作為硒源,得到面積為1000-1200平方微米的單層硒摻雜二硫化鉬薄膜材料。將基片置于盛有鉬源的瓷舟之上,將瓷舟置于雙溫區管式爐的下溫區;將盛有硫源和硒源的瓷舟置于雙溫區管式爐上溫區,其中硫源和硒源的質量S : Se為0.25-4:1,并將雙溫區管式爐封裝起來。本發明制備方法簡便易操作、時間短、重復性好,對儀器設備要求低。制備硒摻雜二硫化鉬的薄膜面積增大了一個數量級,有明顯的優勢,制備所得到的薄膜材料有望應用到光開關、光電晶體管、光探測器等領域。
聲明:
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