本發明公開了生長在Si襯底上的AlGaN薄膜,其包括Si襯底和在Si襯底上外延生長的AlGaN薄膜;所述Si襯底的晶體取向為111面偏100方向0.5-1°;經過采用脈沖激光沉積工藝生長AlGaN薄膜、采用金屬有機化學氣相沉積工藝生長Al原子層、對Al原子層進行氮化處理、襯底以及其晶向的選取等步驟制備而成。所述AlGaN薄膜應用于光電探測器或LED器件中。本發明解決Si襯底上GaN薄膜的裂紋問題的同時提高AlGaN薄膜的質量、純度和界面性能,并降低工藝成本。
聲明:
“生長在Si襯底上的AlGaN薄膜及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)