本發明公開了一類噻吩橋聯四胺芘空穴傳輸材料及制備方法與應用。所述噻吩橋聯四胺芘空穴傳輸材料的結構式如式I所示。該類空穴傳輸材料具有噻吩橋聯的三芳胺結構單元,其在有機溶劑中溶解性好及成膜性好,大的共軛平面結構可有效提升材料的空穴遷移率,且制備成本低。通過光物理性質、電化學性能和熱穩定性測試表明,所述空穴傳輸材料熱穩定性好,能級與鈣鈦礦能級相匹配。將其作為空穴傳輸層應用于鈣鈦礦太陽能電池中,具有良好的光電轉換效率。
聲明:
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