抗蠕變拋光墊窗。本發明的拋光墊可以用來對磁性基片、光學基片和半導體基片中的至少一種進行拋光。所述拋光墊包括拋光層,所述拋光層包括聚氨酯窗。所述聚氨酯窗包括由預聚物混合物中的脂族或脂環族異氰酸酯和多元醇形成的交聯結構。所述預聚物混合物與包含OH或NH2基團的增鏈劑反應,其中OH或NH2與未反應的NCO的化學計量比小于95%。當在60℃的恒定溫度下,在140分鐘,以1千帕的恒定軸向張力負荷測量的時候,所述聚氨酯窗的隨時間變化的應變小于或等于0.02%,肖氏D硬度為45-90,對于厚度為1.3毫米的樣品,在400納米波長下的雙程透光率至少為15%。
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