本發明主要是設計與合成一類具有電荷存儲能力的芳香胺材料:其化學結構為結構中Ar1為以下芳香單元的一種:結構中Ar2為以下芳香單元的一種:結構中n為1~16烷基直鏈,X=Cl,OCH3或者OC2H5。本發明提供該類材料在介電層SiO2表面形成電荷存儲層及該電荷存儲層可應用在非易失性有機場效應晶體管存儲器,展示出在有機存儲器、有機光探測器、有機發光等領域潛在而廣泛的應用前景。
聲明:
“一類具有電荷存儲能力的芳香胺材料的開發與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)