本發明公開了一種改進的可控硅結構,包括臺面槽、穿通環、長基區、正面短基區、背面短基區、陰極區和門極區,其特征在于:陰極區和門極區之間開有陰極門極間槽,陰極門極間槽內填充有玻璃粉。生產上述可控硅結構的生產工藝,包括雙面拋光片步驟、氧化步驟、光刻穿通、穿通擴散、短基區擴散、光刻陰極、陰極擴散、光刻臺面槽、化學腐蝕臺面槽、光刻引線孔、正面蒸鋁、鋁反刻、鋁合金、背面噴砂、背面金屬化、芯片測試、劃片包裝步驟,在化學腐蝕臺面槽和光刻引線步驟之間增加了光刻陰極門極間槽步驟、化學腐蝕陰極門極間槽步驟和玻璃鈍化步驟。本發明的優點是:耐壓高,漏電低,也不存在反型條件和表面燒毀現象,大大提高了可控硅的可靠性。
聲明:
“改進的可控硅結構及其生產工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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