一種負極復合材料,包括Si?M?C復合材料,所述Si?M?C復合材料的表面存在導電層,其中M包括硼、氮或氧中的至少一種,固體核磁共振測試所述Si?M?C復合材料中硅元素的化學位移包括?5ppm±5ppm、?35ppm±5ppm、?75ppm±5ppm、?110ppm±5ppm,且?5ppm±5ppm處的半峰寬K滿足:7ppm<K<28ppm。本申請所提供的負極復合材料,具有較低的膨脹率和較高的導電性,本申請提供的負極極片、電化學裝置具有良好的循環性能。
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