利用鉍離子注入非晶硅基功能薄膜實現硅基材料近紅外光發射的方法,包含以下步驟;1)利用等離子體增強化學氣相淀積技術制備非晶硅基薄膜;2)鉍離子注入非晶硅基薄膜,鉍離子注入時,襯底的溫度為室溫,注入能量為200±50KeV,鉍離子注入劑量范圍從1×1012/cm2到1×1014/cm2;經過以上兩個步驟就可以制備不同劑量鉍離子注入的非晶硅氮氧薄膜或非晶富硅二氧化硅薄膜。本發明利用平板電容型射頻等離子體增強化學氣相淀積(PECVD)技術和離子注入技術在非晶硅基薄膜中注入不同劑量的鉍離子。成功觀測到穩定、高效的1157nm處穩定高效的近紅外光致發光。
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