本發明提供一種掩膜金屬誘導晶化的多晶硅薄膜晶體管的制備方法,包括:連續橫向區域的多晶硅薄膜去除鎳硅氧化物、納米二氧化硅層和化學氧化層,以Freckle刻蝕液濕刻成有源硅島,通過低壓化學氣相沉的方法在425℃下沉積50納米厚的低溫氧化物作為柵極絕緣層;形成柵電極,將硼以4×1015/cm2計量離子注入源極和漏極;以LPCVD的方法沉積500nm的氧化物作為絕緣層并在柵極、源極和漏極區域上開電極接觸孔;濺射700納米厚的含1%Si的鋁光刻形成測試電極,在氫氣與氮氣的合成氣體中420℃下燒結30分鐘以形成良好的歐姆接觸,同時活化摻雜物。
聲明:
“多晶硅薄膜晶體管的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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