本發明涉及一種納米光電器件的制備方法,具體是指一種基于膠體化學合成硫化鎘納米棒的納米光電器件的制備方法。本發明是通過微納米加工技術,在具有200nmSiO2層的單晶硅(Si)襯底上制備出具有納米間隙的Au電極,然后采用介電電泳(DEP)的方法,室溫下于電極之間組裝CdS納米棒,納米光電器的光電性能測試結果顯示該器件具有很好的光電響應。本發明的優點是:膠體化學法裝置簡單,并可以規?;a,制備的納米棒性能穩定;由于只用幾個納米棒來構建器件,器件反應靈敏;另外,該制備工藝具有可控性強,操作簡單,普適性好等特點,具有很大的應用前景。
聲明:
“基于CdS納米棒納米光電器件的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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