本發明提供了一種單一取向ZnGa2O4薄膜的制備方法,包括以下步驟:以有機鋅化合物作為鋅源,有機鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣為氧源,利用金屬有機化合物化學氣相沉積法在襯底表面沉積ZnGa2O4薄膜。本發明提供的單一(111)取向ZnGa2O4薄膜的制備方法,其利用金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)技術,以有機鋅化合物作為鋅源,有機鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣為氧源,通過生長溫度、鋅源、鎵源和氧氣流量的精確控制,實現了高質量單一(111)取向尖晶石結構ZnGa2O4薄膜的生長,為實現高性能日盲紫外光探測器提供了便捷有效的手段。
聲明:
“單一取向鋅鎵氧薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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