本發明公開了一種可控硅的生產工藝,包括雙面拋光片步驟、氧化步驟、光刻穿通步驟、進行穿通擴散步驟、光刻陰極步驟、陰極擴散步驟、光刻臺面槽步驟、化學腐蝕臺面槽步驟、光刻陰極門極槽步驟、化學腐蝕陰極門極槽步驟、玻璃鈍化步驟、光刻引線孔步驟、正面蒸鋁步驟、鋁反刻步驟、鋁合金步驟、背面噴砂步驟、背面金屬化步驟、芯片測試步驟、劃片步驟和芯片包裝步驟,其特征在于:所述進行穿通擴散步驟和光刻陰極步驟之間增加了短基區擴散步驟,所述短基區擴散步驟包括鎵預淀積步驟和鎵再分布步驟。優點是:提高了可控硅的可靠性和適用性。
聲明:
“可控硅的生產工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)