本發明公開了一種寬譜銦鎵砷焦平面的結構及其制備方法,寬譜銦鎵砷焦平面的基底為InP,自基底起依次有InP腐蝕犧牲層,周期性薄層低維量子點層,腐蝕截止層,In0.83Ga0.17As吸收層和重摻雜接觸層;還公開了一種制備所述探測器的方法,主要步驟為:1)產生混成結構In0.83Ga0.17As焦平面探測器;2)機械研磨去除InP基底層;3)化學腐蝕去除犧牲層;4)干法等離子刻蝕去除部分截止層;本發明的優點在于實現單片響應范圍覆蓋400?2600nm的銦鎵砷焦平面探測器,可簡化各類高光譜成像系統的光路,降低功耗、體積、重量,提升探測敏感度。
聲明:
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