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    實現交換偏置效應的二維異質結器件的制備方法

    1031   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:30:15
    一種實現交換偏置效應的二維異質結器件的制備方法,首先切割硅襯底在上面制備金屬電極,然后制備二維材料Fe3GeTe2、CrPS4和hBN納米級厚度薄片;篩選出厚度均勻的Fe3GeTe2、CrPS4和hBN納米級厚度薄片,依次將Fe3GeTe2、CrPS4和hBN轉移至帶有金屬電極的硅襯底上。本方法通過堆疊二維鐵磁層Fe3GeTe2和二維反鐵磁層CrPS4制備出的異質結器件,可以實現能夠在同一Fe3GeTe2上既測得異質結低溫下的交換偏置效應,又能夠對本征樣品數據進行對比;解決了當下異質結器件制備成功率低、界面不干凈以及測試效率低的問題;本發明在手套箱中制備并采用先做金屬電極的方式,最大程度地減少器件接觸化學藥品和空氣,從而減少氧化和污染,解決了傳統工藝流程中會污染異質結樣品導致測試結果不理想的問題。
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