微波部件表面納米結構抑制二次電子發射的方法,包括以下步驟:在微波部件基體的良導體層上形成金屬納米結構;選定不同的測試條件,該測試條件包括納米結構的孔隙率、深寬比以及納米結構的形狀;利用蒙特-卡洛方法模擬在不同測試條件下,電子入射在納米結構中的碰撞、吸收及其所產生二次電子的碰撞、吸收和逃逸過程,得到理論上單個納米結構中的二次電子發射產額;根據上述二次電子發射產額規律,利用多種表面處理工藝調節微波部件表面納米結構的形狀,深寬比及孔隙率,使其二次電子發射產額最小。該方法能夠將的電化學銀鍍層表面處理微波部件的微放電閾值大幅度提高;更易于實現高深寬比二次電子陷阱結構,對表面粗糙度的影響一定程度上可以忽略,解決目前大粗糙度結構表面抑制SEY帶來的負面效應。
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