本發明涉及一種銻化銦單晶片的拋光方法,屬于光電材料技術領域。所述方法對銻化銦單晶片拋光過程中精拋溶液的配方進行設計,利用精拋溶液的化學作用,配合精密拋光機中拋光盤的機械作用,通過嚴格控制轉速、壓力以及精拋溶液的滴速,進行銻化銦單晶片的超精密平整化加工,實現拋光后的銻化銦單晶片的完美晶格,能夠有效避免現有技術中拋光加工所造成的二次缺陷,彌補了銻化銦單晶片精密加工領域的空白。采用本發明所述拋光方法加工的銻化銦單晶片,由于晶格完美,因此利用其制備的紅外探測器的成品率有長足的進步,且大大拓寬了銻化銦單晶片在紅外探測器上的應用。
聲明:
“銻化銦單晶片的拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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