本發明涉及一種大面積二維BiOI單晶的制備方法,使用BiI3粉末和氧氣作為制備BiOI單晶的反應前驅體;使用氟金云母片作為襯底,在解理云母后堆疊按壓構造微小反應空間;采用石英管式爐優化升溫程序制備出邊長達到100μm以上的正方形BiOI單晶,厚度可以達到單層級別。本發明制備的二維BiOI單晶符合化學計量比,晶體缺陷少。由二維BiOI單晶制備的254nm深紫外光探測器,其暗態電流少于10?12A,開關電流Ion/Ioff比達到100以上,光響應度Rph達到30mA/W,外量子效率EQE接近14.7%,探測度可達2.4×109Jones。
聲明:
“大面積二維BiOI單晶的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)