一種輸送至少一種氣體的常壓晶片加工系統(100),所述系統含有排氣控制反饋系統,所述排氣控制反饋系統利用傳感器(116、142、162、182、192)測量系統內壓力并且調節控制單元(112、132、152、180、196)以在系統內維持所需的設定壓力。所述傳感器測量內爐(140)內,特別是內爐的裝載(136)、旁路中心和卸載(156)部分,相對于暗槽作為壓力的小壓差。對內爐壓力的直接控制,為較少經受在外部環境變化的晶片加工提供了更穩定的壓力平衡,以及發生當至轉子流量計的供應壓力變化時,考慮了改變輸入氣流的補償。所述壓力控制的系統和方法特別有利產生在較長運行時間內具有改進過程可重復性的化學汽相沉積應用。
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