本實用新型涉及金剛石膜生長領域,尤其涉及一種大面積熱絲化學氣相沉積(CVD)金剛石薄膜生長裝置。該裝置設有密閉的反應腔體,反應腔體內的上部設有氣體噴淋環,氣體噴淋環通過管路與外部氣源連接,反應腔體的外側設有抽真空系統和真空測控系統;氣體噴淋環下方于反應腔體內,平行依次布置熱絲、基片、導電層、絕緣層、水冷樣品臺,基片、導電層、絕緣層疊放于水冷樣品臺上,水冷樣品臺通過轉軸與外部調速電機相連接。本實用新型可以實現在大面積基片上快速、均勻沉積金剛石薄膜電極,減少反應氣體的消耗,沉積過程中能測控熱絲的溫度、工件表面的溫度和反應腔內的壓強,能準確控制金剛石薄膜沉積各項主要工藝參數,工藝重復性好。
聲明:
“大面積熱絲CVD金剛石薄膜生長裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)