• <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>
  • 合肥金星智控科技股份有限公司
    宣傳

    位置:中冶有色 >

    有色技術頻道 >

    > 化學分析技術

    > 生長在硅襯底上的(100)高度擇優取向的氮化鈦薄膜及其制備方法

    生長在硅襯底上的(100)高度擇優取向的氮化鈦薄膜及其制備方法

    1057   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:56:51
    本發明公開了一種生長在硅襯底上的(100)高度擇優取向的氮化鈦薄膜及其制備方法。采用單面拋光基片作為襯底,將基片放置于旋轉加熱臺面上,蓋上真空腔蓋,抽取本底真空,通入氮氣和氬氣,進行磁控濺射后,停止通入氮氣和氬氣,進行抽真空退火,然后關閉分子泵,待降溫關閉機械泵,打開放氣閥,待旋轉加熱臺面溫度降至常溫時取出樣品;進行磁控濺射時調整濺射薄膜時的溫度、氮氣氬氣流量比例和總流量以及抽真空退火使得最終制成所述氮化鈦薄膜,并通過控制濺射功率、工作電壓和濺射時間控制薄膜的厚度。本發明的氮化鈦薄膜擁有低電阻率和較好的化學穩定性和光學特性,適合作為底電極,也可應用在各類光電探測器中,方法工藝相對簡單。
    登錄解鎖全文
    聲明:
    “生長在硅襯底上的(100)高度擇優取向的氮化鈦薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
    我是此專利(論文)的發明人(作者)
    分享 0
             
    舉報 0
    收藏 0
    反對 0
    點贊 0
    標簽:
    化學分析
    全國熱門有色金屬技術推薦
    展開更多 +

     

    中冶有色技術平臺

    最新更新技術

    報名參會
    更多+

    報告下載

    赤泥綜合利用研究報告2025
    推廣

    熱門技術
    更多+

    衡水宏運壓濾機有限公司
    宣傳
    環磨科技控股(集團)有限公司
    宣傳

    發布

    在線客服

    公眾號

    電話

    頂部
    咨詢電話:
    010-88793500-807
    專利人/作者信息登記
    久爱国产精品一区免费视频_无码国模国产在线观看_久久久久精品国产亚洲A_国产综合精品无码
  • <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>