一種刻蝕機臺的處理方法包括:預處理:向所述刻蝕機臺的反應腔內多次打入含有氧自由基及氫自由基的等離子體,以去除反應腔內的水汽及反應腔表面的Si?C鍵;灰化處理:將表面具有光刻膠的晶圓控片置于所述反應腔內,并采用含有氧自由基的等離子體對光刻膠進行處理,以使光刻膠解離,且去除反應腔表面的Si?OH鍵,解離產物能夠附著在所述反應腔表面。本發明刻蝕機臺的處理方法能夠避免等離子體與反應腔表面的化學鍵結合,從而避免在后續的測機作業中出現顆粒物數量過高的情況,大大減小刻蝕機臺宕機時間及次數。
聲明:
“刻蝕機臺的處理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)