本發明公開了一種具有高遷移率的非金屬共摻雜ZnO透明導電薄膜,該薄膜為生長于柔性襯底上的ZnO基薄膜,其化學組成為Zn1-x-yAxByO,其中0< x≦0.50,0< y≦0.40, ?A為氟、氯、硫、硒中的一種,B為硼、氫中的一種,且A和B的原子比例滿足1< x : y≦10。制備該薄膜采用射頻磁控濺射法,通過結合氫等離子處理和真空熱退火的手段,從而制得導電性能良好的透明導電薄膜。本發明制備的薄膜結晶性能好,薄膜生長平整,光透過率在80%以上,電阻率可降至10-3數量級,方阻可達到81.9??蓱迷谔柲茈姵厍半姌O、薄膜晶體管、紫外探測器、透明顯示屏等領域。
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