本發明涉及一種基于少層二維半導體材料形成布拉格激子極化激元的方法,包括如下步驟:(1)采用高真空電子束蒸鍍技術在Si襯底表面交替沉積一定對數的折射率不同的介質膜材料,形成分布式布拉格反射鏡,構造平板半微腔;(2)采用機械剝離或是化學氣相沉積法將少層二維半導體材料制備在平板半微腔上;(3)在合適的激發光源作用下便可以形成激子極化激元。本發明大幅簡化了傳統的諧振腔或增益介質的多重插入式結構設計,在少層二維半導體材料表面形成激子極化激元,使得激子極化激元更容易觀測和調控,有利于實用型二維半導激子極化激元器件的開發及應用。
聲明:
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