一種化學機械拋光工藝的適應回饋控制方法,能使基板上兩個環狀區域間的介電層清理時間差異最小化,具有光學窗的光學系統通過拋光墊下方并感測來自至少兩環狀區域的反射光干涉信號,并決定預先清理時間差異且用來計算其中一個或兩個CMP頭部件與固定環壓力的調整,于拋光循環停止前來施加壓力調整可避免需要進行第二次拋光循環,且降低至少兩環狀區域的金屬層的凹陷差異與阻抗差異,于部分實施例中,第二壓力調整會于循環停止前執行,且于不同壓力區域會進行不同的CMP頭部件壓力調整。
聲明:
“適應回饋拋光控制的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)