本發明公開了一種利用等離子體增強原子層沉積可控制備不同氧含量SiON薄膜的方法。本發明利用等離子體增強原子層沉積PEALD制備技術,通過使用前驅體四(二甲氨基)硅烷作為硅源,N2與O2等離子體作為氮源和氧源。將其同時通入反應腔體,通過調控N2與O2反應氣體的流量比,在基底上實現氧含量精確可控的高質量SiON薄膜生長。相比其他傳統的物理或化學鍍膜方法,本發明制備方法生長溫度低、簡易高效,不僅可以實現SiON薄膜中氧氮含量的精確調控,而且可以達到生長的薄膜厚度原子量級可控和大面積的均勻性。本發明制備的氧含量可調控的SiON薄膜在傳感器、光電探測、微電子器件等領域具有廣泛的應用前景。
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