本發明屬于光電探測領域,涉及基于壓電光電子學效應增強Au/4H?SiC肖特基結輸出的方法。將預處理后的4H?SiC單晶片通過電化學腐蝕方法垂直腐蝕得到4H?SiC納米線陣列,洗滌烘干后通過旋涂PMMA溶液將納米線陣列包裹,通過氧等離子體清洗技術露出納米線頂端,將Au電極沉積在納米線陣列頂端,形成Au/4H?SiC肖特基結,最終通過壓電馬達在納米線頂端施加壓縮應變實現對Au/4H?SiC肖特基結光電響應的增強。本發明中的Au/4H?SiC肖特基結通過應變的施加,能夠對不同機械力產生不同響應,可以明顯的改變器件的輸出性能。能夠優化器件的輸出性能,進一步用于外界機械刺激與SiC基電子器件的直接交互。
聲明:
“基于壓電光電子學效應增強Au/4H-SiC肖特基結輸出的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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