本發明公開了一種制造含氧空位的CuO納米片的方法,包括以下步驟:制備CuO納米片以及通過硼氫化鈉處理CuO納米片。對于本發明的制造方法而言,本發明在低溫下采用化學制備方法制備含有氧空位的CuO催化劑,成本較低,合成方法設備和工藝簡單,操作簡便,有利于大量合成催化劑,便于實際生產應用。對于本發明的含有氧空位的CuO催化劑而言,通過氧空位的存在,提高了催化劑的活性,特別是在丙烯催化活性測試中T50降低了70℃左右。
聲明:
“制造含氧空位的CuO納米片的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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