本發明涉及一種提高電壓的短基區結構的生產工藝,包括雙面拋光片步驟、氧化步驟、光刻穿通步驟、進行穿通擴散步驟、光刻陰極步驟、陰極擴散步驟、光刻臺面槽步驟、化學腐蝕臺面槽步驟、玻璃鈍化步驟、光刻引線孔步驟、正面蒸鋁步驟、鋁反刻步驟、鋁合金步驟、背面噴砂步驟、背面金屬化步驟、芯片測試步驟、劃片步驟和芯片包裝步驟,其特征在于:所述進行穿通擴散步驟和光刻陰極步驟之間增加了進行選擇基區光刻和進行選擇型局部短基區擴散步驟。本發明的優點是:可控硅的耐壓得到提高,工藝簡單,工藝穩定、一致性高,大大提高了可控硅的耐壓水平且成品率高,局部擴散的短基區與臺面槽形成良好的臺面正角結構。
聲明:
“提高電壓的短基區結構的生產工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)