本發明公開了一種層數均勻且高質量二硫化鉬薄膜的制備方法,即使用氯化鉀輔助化學氣相沉積法在覆蓋有300nm厚度二氧化硅層的硅襯底上制備出大面積單層二硫化鉬薄膜,通過控制不同氯化鉀的量獲得不同尺寸的單層二硫化鉬薄膜。該發明的優勢在于利用氯化鉀能夠有效制備出均勻性較好的高質量二硫化鉬薄膜,并且該實驗方法工藝簡單,成本低廉,適合大規模生產,所制備的二硫化鉬薄膜可作為二維透明半導體薄膜被運用于光電器件、柔性透明器件、光探測器等領域,此發明對該電子材料制備及生產具有較高的應用價值及意義。
聲明:
“層數均勻且高質量二硫化鉬薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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