本發明涉及超低介電常數、低介電損耗聚酰亞胺薄膜的制備方法,一種首先采用水解共縮合法與多步提純得到HBPSi,最終以化學鍵的形式將HBPSi結構引入PI分子主鏈,實現了在分子水平上對PI材料的改性,顯著降低了PI材料的介電常數,并較好的保持了PI材料固有的優點。該PI薄膜介電性能優異,耐熱性優良,力學強度突出,吸水率低,表面平整度高,制備過程反應條件溫和,研發成本較低,有利于大規模工業化生產。與目前普遍使用的Kapton標準膜相比,在同等測試條件下HBPSi-PI薄膜的介電常數降低了30%~40%,最低介電常數甚至接近2.0,達到超低介電常數的水平,能夠滿足未來微電子行業發展的迫切需求。
聲明:
“超低介電常數、低介電損耗聚酰亞胺薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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