本發明涉及砷化鎵光電陰極制備方法技術領域,尤其涉及一種低成本三代像增強器半導體光電陰極濕法處理方法,采用調節腐蝕過程中的化學試劑配比和腐蝕溶液的溫度,控制腐蝕的速率,腐蝕均勻,可以解決襯底殘留,腐蝕不徹底的問題。同時,腐蝕速率分段控制,適當加快砷化鎵外延片濕法處理的效率,提高生產率速率,解決砷化鎵外延片襯底腐蝕不干凈、殘留、表面粗糙的問題。一種低成本三代像增強器半導體光電陰極濕法處理方法,S1、采用千分尺測量陰極組件襯底腐蝕前的高度h1,通過高度變化差,定量判斷襯底腐蝕結束時間;S2、采用超聲波清洗機,頻率40KHz,分別用異丙醇及去離子水對K9玻璃作為窗口玻璃的砷化鎵陰極組件進行除油、清潔。
聲明:
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