本發明公開了一種基于ZnSnO基非晶氧化物半導體薄膜的薄膜型酒精氣敏傳感器及其制備方法。該酒精氣敏傳感器包括絕緣襯底層、電極層和傳感層,其中傳感層為非晶氧化物半導體薄膜。本發明還提供了所述的酒精氣敏傳感器的制備方法,步驟包括絕緣襯底層準備步驟、金屬電極制備步驟以及氣敏傳感層ZnSnO非晶基薄膜的制備步驟。其中傳感層是由溶液化學方法制備。本發明使用的制備方法操作簡單、成本低,制得的非晶氧化物半導體薄膜作為傳感層的酒精氣敏傳感器具有探測靈敏度高、制備方法簡單、重復性好等優點,在軍事、民用等領域具有重要的應用價值。
聲明:
“薄膜型酒精氣敏傳感器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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