本發明公開了一種在圖形化的半導體襯底上制作有序半導體納米結構的方法,包括:步驟1:選擇半導體襯底,通過光刻方法在襯底上制作出條形或圓孔圖形;步驟2:配置含有膠體金的溶液;步驟3:將制作出條形或圓孔圖形的襯底浸入配置的含有膠體金的溶液中,并將襯底從溶液中提拉出來;步驟4:將襯底在打膠機中打膠并用化學試劑清洗;步驟5:將襯底放入生長設備的腔室中并生長單層或多層納米結構。利用本發明,制備出了尺寸均勻、排列有序的量子線陣列,該量子線陣列可用于制作發光器件和電子器件的有源層,制備性能優異的半導體場效應晶體管、具有非常低的能量消耗的光發射器件、以及各種類型的感應器、探測器等。
聲明:
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