本發明公開一種無損檢測半導體缺陷演變方法、系統及裝置,方法包括:獲取至少兩種波長的單色激發光照射于待檢測半導體形成的光致發光光譜圖像,其中,每種波長的單色激發光照射在待檢測半導體的同一區域;判斷每個光致發光光譜圖像中是否在特定波長范圍內存在光譜特征峰;若存在,則通過光譜特征峰的形態確定出對應的缺陷類型;將所述缺陷類型與相應的深度進行關聯,得到待檢測半導體缺陷的縱向分布,進而得到同一區域內不同缺陷類型之間的相互演化。得到待檢測半導體同一區域不同深度的缺陷,進而得到縱向的變化,能夠直接研究缺陷的起源并且得到不同缺陷之間的相互演化,從而為晶體缺陷質量的改善提供重要的參考。
聲明:
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