本發明公開了生長在石墨烯基板上GaN納米柱陣列的無損傷轉移工藝獲得柔性紫外探測器及方法。該方法先在石墨烯襯底上外延生長GaN納米柱陣列,得到結構A;再在結構A表面旋涂PMMA并加熱固化,得到結構B;接著濕法刻蝕去除結構B的襯底層,得到PMMA/GaN納米柱陣列/石墨烯復合薄膜,并將其轉移至鍍上電極結構的柔性襯底上,轉移后再旋涂PMMA并加熱固化,使得第一層PMMA內部的應力得到釋放,實現GaN納米柱陣列/石墨烯與柔性襯底的完美貼合,防止裂紋和皺褶的出現,最后去除PMMA,得到柔性紫外探測器。本發明實現了紫外探測器的透明化、柔性化,可用于智能穿戴、彎曲顯示、柔性傳感成像等領域,經濟效益可觀。
聲明:
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