一種半導體摻雜的擴散深度檢測方法,方法包括:進行摻雜劑擴散,測得半導體光電探測器件的擊穿電壓;根據擊穿電壓計算摻雜劑的擴散深度并根據檢測擴散深度對器件進行補擴散,以優化擴散工藝。檢測方法無需完成所有芯片的流片工藝,無需劃裂片至單個芯片器件,并且無需其他表征檢測手段的破壞性制樣,并且可以在完成摻雜劑擴散時對晶圓片上點進行大范圍快速、無損性的測試與抽測,測試表征準確,高效、無損?;谠摲椒▽U散工藝進行優化以達到預期目標及后續流片工藝。
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