本發明屬于材料物理特性檢測技術領域,涉及一種測量鑲嵌薄膜楊氏模量的方法,包括下列步驟:(1)建立鑲嵌薄膜及硅襯底的仿真模型;(2)確定鑲嵌薄膜及硅襯底的參數;(3)確定鑲嵌薄膜及硅襯底的邊界條件;(3)利用有限元的方法繪制一系列鑲嵌薄膜基體取不同楊氏模量時的理論頻散曲線;(5)對待測樣本的鑲嵌薄膜的實際頻散曲線進行測量;(6)將測量得到的待測樣本的鑲嵌薄膜的實際頻散曲線與理論頻散曲線進行匹配,得到鑲嵌薄膜的楊氏模量。本發明能夠無損、快速、準確的測量電介質材料的楊氏模量,解決了以前方法不能測量鑲嵌結構薄膜中電介質楊氏模量的問題。
聲明:
“測量鑲嵌薄膜楊氏模量的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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