本發明屬于光學領域,涉及一種納米級薄膜厚度的測量方法,特別是指一種利用光子自旋霍爾效應測量納米級薄膜厚度的方法。步驟如下:建立不同材料、各薄膜厚度下,PSHE分裂位移隨入射偏振態變化的理論數據庫;選取一組入射偏振,使入射光以某一初始入射偏振入射到被測薄膜表面,并獲取此入射偏振下的自旋分裂位移;依次改變入射光的偏振角度,得到自旋分裂位移隨入射偏振角變化的測量數據;將所得測量數據與各薄膜厚度下的理論數據進行計算和比對,確定被測薄膜的厚度。本發明利用不同入射偏振下的PSHE的自旋分裂位移與薄膜厚度的依賴關系,實現對金屬和非金屬材料薄膜厚度的非接觸、無損的高精度測量,該測量系統結構簡單、便于操作。
聲明:
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