本申請實施例提供了一種3D?NAND存儲器階梯結構關鍵尺寸的量測方法,該量測方法包括:在存儲單元的非字線區設置關鍵尺寸量測區;在字線區形成多級階梯結構,同時在所述量測區形成多個周期性排布的獨立階梯結構,其中,形成在所述量測區內的獨立階梯結構與形成在字線區內的階梯結構具有相同的關鍵尺寸;采用光學關鍵尺寸測量方法對所述量測區內的周期性分布的階梯結構進行關鍵尺寸測量,得到的測量結果用于表征字線區階梯結構的關鍵尺寸。該測量方法能夠實現對3D?NAND存儲器階梯結構關鍵尺寸的快速無損量測。因而該方法可以用于3D?NAND存儲器的字線區階梯形貌刻蝕工藝的在線監測。
聲明:
“3D NAND存儲器階梯結構關鍵尺寸的量測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)