本發明公開了一種室溫黑磷太赫茲探測器及其制備方法。器件結構自下而上依次為:第一層是本征硅襯底、第二層是氧化物層、第三層是黑磷以及搭在黑磷上的非對稱的蝴蝶形天線和天線兩側的金屬電極。器件制備步驟是將機械剝離的黑磷轉移到襯底上,運用紫外光刻或者電子束曝光方法結合傾角蒸鍍工藝制備非對稱的蝴蝶形天線和金屬電極,形成黑磷太赫茲探測器。當太赫茲光照射器件時,黑磷內載流子在賽貝克電動勢驅動下單向運動,產生響應信號并實現室溫快速的太赫茲的探測。該探測器具有高速、寬頻、高響應、高集成度等特點,可以在室溫下對新鮮的樹葉進行無損傷主動成像,為實現室溫太赫茲探測器大規模應用奠定基礎。
聲明:
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