本發明涉及一種太赫茲波段材料載流子濃度測量方法,屬于太赫茲應用技術領域。該方法包括:S1:利用太赫茲光譜系統,測量無樣品時的太赫茲參考信號以及有材料樣品時的太赫茲樣品信號,并利用傅里葉變換獲得頻域的參考信號以及樣品信號;S2:利用頻域的參考信號及樣品信號的比值獲得幅值比及相位差;S3:根據材料光學參數與樣品信號的理論關系,反演出樣品的復介電常數,然后計算出材料的復電導率;S4:根據復電導率與載流子濃度依賴關系,計算材料在不同波長下的材料載流子濃度。本發明適用于不同的太赫茲系統,可實現毫米到微米再到納米尺度范圍的材料載流子無損測量。
聲明:
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