本發明提供了一種摻雜Cr3+的近紅外納米熒光粉及其制備方法和應用,此熒光粉的化學表達式為:Ga2?XO3:xCr3+,其中,0<x<0.5,此制備方法制得的熒光粉為納米顆粒,易于摻雜基質材料,實現藍紫光到近紅外光的高效轉化;且此熒光粉的最強激發峰與GaN LED最強發射峰高度耦合,在GaN LED芯片藍紫光的激發下可實現近紅外光的高效發射,高度匹配于生鮮腐敗檢測系統光源的需求,能夠被應用于生鮮無損檢測領域。
聲明:
“摻雜Cr3+的近紅外納米熒光粉及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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