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    芯片失效分析方法及芯片失效分析標記

    1200   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 08:59:29
    本發明揭示了一種芯片失效分析方法及芯片失效分析標記,包括:提供待測芯片,在SEM下將所述芯片的缺陷位置做第一標記;將所述待測芯片放置于FIB中,利用電子束照射所述第一標記以形成一氧化膜,從而形成在離子束下可識別的芯片失效分析標記。這避免了利用FIB離子束挖洞之前可能出現的尋找不到特征點的情況,節省了操作時間,可靠性高,并且在SEM中能夠達到30nm的精度,能夠滿足實際需求。
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