本發明實施例公開一種芯片的物理失效分析方法及裝置、電子設備、存儲介質,涉及半導體加工技術領域,能夠有效提高芯片的失效分析效率。所述方法包括:根據電學失效分析,獲取目標芯片中可疑失效點的位置信息,所述位置信息包括所述可疑失效點在所述目標芯片中所處的目標圖層對應的版圖,以及所述可疑失效點在所述目標圖層中的位置;根據所述可疑失效點的位置信息,獲取所述目標芯片中預設范圍內的芯片圖像,得到第一圖像,所述預設范圍與所述位置信息相對應;通過預設的圖像識別模型,對所述第一圖像進行輪廓識別,得到第二圖像;根據所述第二圖像及所述目標圖層對應的版圖,確定所述可疑失效點的物理失效情況。本發明適用于芯片失效分析中。
聲明:
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