一種暴露半導體襯底的方法和失效分析方法,所述暴露半導體襯底的方法包括:提供半導體樣品,所述半導體樣品從下至上依次包括半導體襯底、氧化層和半導體多晶層;用化學溶液去除所述半導體襯底和半導體多晶層之間的氧化層,所述化學溶液為緩沖氧化蝕刻溶液或氫氟酸;用超聲波振蕩去除所述半導體多晶層,暴露出所述半導體襯底。所述暴露半導體襯底的方法和失效分析方法解決了現有技術逐層剝除半導體襯底上方的半導體多晶層和氧化層會損傷半導體襯底的問題。
聲明:
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