一種半導體器件電性失效的檢測方法,包括:步驟S1:灰階收集;a、以所述電子束缺陷掃描儀能夠掃描的最小區域作為掃描單元區域,通過程式設定為缺陷而被檢測,并拍攝電子顯微鏡圖譜;b、以半導體器件作為掃描對象,并在不同條件下掃描,進行灰階分析;步驟S2:掃描條件篩選,進行電性測試;獲得相似度數值;定義最優掃描條件;步驟S3:進行定點灰階分析,獲得電性有效的灰階收集數據區間;步驟S4:電性失效區域預報。本發明通過電子束缺陷掃描儀所獲得的灰階收集數據與所述電性測試數據進行比較,可有效的預報電性失效區域和電性有效區域,為監測離子注入工藝優劣提供依據,并為即將采取的改善措施提供技術支持,為縮短半導體器件的研發周期提供有力的保障。
聲明:
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