在裸片級上對半導體良率進行模型化以預測容易發生過早使用壽命失效(ELF)的裸片。依據從半導體制造過程中的晶片測試獲得的參數數據進行第一裸片良率計算。僅依據裸片位置進行第二裸片良率計算。所述第一裸片良率計算與所述第二裸片良率計算之間的差是預測差值?;趯λ龅谝宦闫悸视嬎愫退鲱A測差值的評估,可識別過早使用壽命失效的可能性并且可確立可接受的裸片損耗水平以從進一步處理移除裸片。
聲明:
“預測容易發生過早使用壽命失效的裸片” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)